SP8M6FRATB
SP8M6FRATB
Número de pieza:
SP8M6FRATB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
86536 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.SP8M6FRATB.pdf2.SP8M6FRATB.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs:51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SP8M6FRATBCT
Temperatura de funcionamiento:150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A (Ta), 3.5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta), 3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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