SIZ730DT-T1-GE3
SIZ730DT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZ730DT-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
75102 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SIZ730DT-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-PowerPair™
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:9.3 mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max:27W, 48W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-PowerPair™
Otros nombres:SIZ730DT-T1-GE3TR
SIZ730DTT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A, 35A
Número de pieza base:SIZ730
Email:[email protected]

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