SIHG25N40D-E3
SIHG25N40D-E3
Número de pieza:
SIHG25N40D-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
44623 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.SIHG25N40D-E3.pdf2.SIHG25N40D-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:170 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo):278W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:SIHG25N40DE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1707pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:88nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:400V
Descripción detallada:N-Channel 400V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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