SI8261ABD-C-IS
SI8261ABD-C-IS
Número de pieza:
SI8261ABD-C-IS
Fabricante:
Energy Micro (Silicon Labs)
Descripción:
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
71544 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI8261ABD-C-IS.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Suministro de voltaje:9.4 V ~ 30 V
Voltaje - Aislamiento:5000Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico):2.8V (Max)
Tecnología:Capacitive Coupling
Paquete del dispositivo:6-SDIP
Serie:Automotive, AEC-Q100
Tiempo de subida / bajada (típico):5.5ns, 8.5ns
Ancho de pulso Distorsión (máx.):28ns
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max):60ns, 50ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C
número de canales:1
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:600mA Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
Corriente - Salida Pico:600mA
Actual - salida alta, bajo:400mA, 600mA
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.):30mA
Inmunidad transitoria en modo común (Min):35kV/µs
aprobaciones:CQC, CSA, UR, VDE
Email:[email protected]

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