SI6993DQ-T1-E3
SI6993DQ-T1-E3
Número de pieza:
SI6993DQ-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
43007 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI6993DQ-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:31 mOhm @ 4.7A, 10V
Potencia - Max:830mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:SI6993DQ-T1-E3CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.6A
Número de pieza base:SI6993
Email:[email protected]

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