SI4948BEY-T1-E3
Número de pieza:
SI4948BEY-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
67445 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI4948BEY-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:120 mOhm @ 3.1A, 10V
Potencia - Max:1.4W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4948BEY-T1-E3DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.4A
Número de pieza base:SI4948
Email:[email protected]

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