| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA (Min) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.13W, 1.2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SI4532ADY-T1-E3-ND SI4532ADY-T1-E3TR SI4532ADYT1E3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.7A, 3A |
| Número de pieza base: | SI4532 |
| Email: | [email protected] |
