SI1426DH-T1-E3
Número de pieza:
SI1426DH-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
71592 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI1426DH-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:75 mOhm @ 3.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:SI1426DH-T1-E3CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.8A (Ta)
Email:[email protected]

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