SI1032R-T1-E3
SI1032R-T1-E3
Número de pieza:
SI1032R-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
86594 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI1032R-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±6V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-75A
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:5 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):250mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-75A
Otros nombres:SI1032R-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:N-Channel 20V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:140mA (Ta)
Email:[email protected]

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