RN2910FE,LF(CB
RN2910FE,LF(CB
Número de pieza:
RN2910FE,LF(CB
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
71534 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RN2910FE,LF(CB.pdf

Introducción

RN2910FE,LF(CB mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de RN2910FE,LF(CB, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para RN2910FE,LF(CB por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:ES6
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):-
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potencia - Max:100mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:RN2910FE(T5L,F,T)
RN2910FE(T5LFT)TR
RN2910FE(T5LFT)TR-ND
RN2910FE,LF(CT
RN2910FELF(CBTR
RN2910FELF(CTTR
RN2910FELF(CTTR-ND
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios