RN2112,LF(CT
RN2112,LF(CT
Número de pieza:
RN2112,LF(CT
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
32207 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RN2112,LF(CT.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SSM
Serie:-
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Potencia - Max:100mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-75, SOT-416
Otros nombres:RN2112(T5L,F,T)
RN2112(T5LFT)TR
RN2112(T5LFT)TR-ND
RN2112,LF(CB
RN2112,LF(CTTR
RN2112LF(CBTR
RN2112LF(CBTR-ND
RN2112LF(CTTR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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