| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 480mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 1727-3124-2 568-2358-2 568-2358-2-ND 934058736215 PMV65XP T/R PMV65XP215 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 744pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | P-Channel 20V 2.8A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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PMV65UNEAR | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | Investigación |
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PMV65UN,215 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 | Investigación |
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PMV6-P10-L | Panduit | CONN WIRE PIN TERM 10-12AWG | Investigación |
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PMV6-6R-L | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP | Investigación |
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PMV6-8R-L | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP | Investigación |
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PMV65XP/MIR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Investigación |
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PMV6-6R-X | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP | Investigación |
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PMV6-8RB-2K | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP | Investigación |
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PMV65ENEAR | Nexperia | MOSFET N-CH 20V TO-236AB | Investigación |
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PMV90ENER | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB | Investigación |
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PMV6-6FB-2K | Panduit | CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL | Investigación |
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PMV65XPEAR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Investigación |
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PMV65UNER | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | Investigación |
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PMV60EN,215 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 | Investigación |
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PMV6-6RB-2K | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP | Investigación |
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PMV65XPVL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB | Investigación |
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PMV90EN,215 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 | Investigación |
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PMV75UP,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 | Investigación |
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PMV65XPER | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Investigación |
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PMV6-8R-X | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP | Investigación |