PMDPB85UPE,115
PMDPB85UPE,115
Número de pieza:
PMDPB85UPE,115
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
72383 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
PMDPB85UPE,115.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:950mV @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-HUSON-EP (2x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:103 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Potencia - Max:515mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres:1727-1239-2
568-10444-2
568-10444-2-ND
934066843115
PMDPB85UPE,115-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:514pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.1nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 515mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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