NVD5890NLT4G-VF01
NVD5890NLT4G-VF01
Número de pieza:
NVD5890NLT4G-VF01
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
50385 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
NVD5890NLT4G-VF01.pdf

Introducción

NVD5890NLT4G-VF01 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de NVD5890NLT4G-VF01, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para NVD5890NLT4G-VF01 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):4W (Ta), 107W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NVD5890NLT4G-ND
NVD5890NLT4G-VF01
NVD5890NLT4G-VF01-ND
NVD5890NLT4G-VF01OSTR
NVD5890NLT4G-VF01OSTR-ND
NVD5890NLT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4760pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:42nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:N-Channel 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 123A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios