NTMFS4H02NFT1G
NTMFS4H02NFT1G
Número de pieza:
NTMFS4H02NFT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
59973 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
NTMFS4H02NFT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.13W (Ta), 83W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:52 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2652pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción detallada:N-Channel 25V 37A (Ta), 193A (Tc) 3.13W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:37A (Ta), 193A (Tc)
Email:[email protected]

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