NJD35N04T4G
NJD35N04T4G
Número de pieza:
NJD35N04T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
41704 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
NJD35N04T4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):350V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 20mA, 2A
Tipo de transistor:NPN - Darlington
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
Potencia - Max:45W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NJD35N04T4GOSCT
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:90MHz
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:2000 @ 2A, 2V
Corriente - corte del colector (Max):50µA
Corriente - colector (Ic) (Max):4A
Email:[email protected]

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