español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > NE3503M04-T2B-A
NE3503M04-T2B-A
Número de pieza:
NE3503M04-T2B-A
Fabricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descripción:
FET RF 4V 12GHZ M04
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
66925 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
NE3503M04-T2B-A.pdf
Investigación

Introducción

NE3503M04-T2B-A mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de NE3503M04-T2B-A, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para NE3503M04-T2B-A por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:2V
Tensión - Calificación:4V
Tipo de transistor:HFET
Paquete del dispositivo:M04
Serie:-
Alimentación - Salida:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-SMD, Flat Leads
Figura de ruido:0.45dB
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:12dB
Frecuencia:12GHz
Descripción detallada:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04
Valoración actual:70mA
Corriente - Prueba:10mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de NE3503M04-T2B-A

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
NE34018-T1-A Image NE34018-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ SOT-343 Investigación
NE34018-T1 Image NE34018-T1 CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ SOT-343 Investigación
NE3210S01 CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ S01 Investigación
NE3503M04-T2-A Image NE3503M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 Investigación
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Investigación
NE3508M04-T2-A Image NE3508M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM Investigación
NE34018-A Image NE34018-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ SOT-343 Investigación
NE3210S01-T1B CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ S01 Investigación
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Investigación
NE3510M04-T2-A Image NE3510M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Investigación
NE34018-64-A Image NE34018-64-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ SOT-343 Investigación
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Investigación
NE3509M04-A Image NE3509M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI Investigación
NE3509M04-T2-A Image NE3509M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ SOT-343 Investigación
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC AMP RF LNA 13.5DB S02 Investigación
NE3503M04-A Image NE3503M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 Investigación
NE34018-T1-64-A Image NE34018-T1-64-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ SOT-343 Investigación
NE350184C CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ MICRO-X Investigación
NE3508M04-A Image NE3508M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM Investigación
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Investigación

Latest Noticias