NDT452AP
Número de pieza:
NDT452AP
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
58647 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.NDT452AP.pdf2.NDT452AP.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223-4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:65 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:NDT452APTR
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:690pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:P-Channel 30V 5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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