MURTA200120
MURTA200120
Número de pieza:
MURTA200120
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
70122 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MURTA200120.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:2.6V @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1200V
Paquete del dispositivo:Three Tower
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo:Standard
configuración de diodo:1 Pair Common Cathode
Descripción detallada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr:25µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):100A
Email:[email protected]

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