español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR
Número de pieza:
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Cantidad:
37055 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR.pdf
Investigación

Introducción

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:1.1V
Tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR4
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Otros nombres:MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR-ND
MT53D512M64D4BP-046WTES:ETR
Temperatura de funcionamiento:-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:32Gb (512M x 64)
Interfaz de memoria:-
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo:Lead free
Descripción detallada:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz
Frecuencia de reloj:1866MHz
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Investigación
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Investigación
MT53D512M64D4CR-053 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M32D2NP-062 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ Investigación
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M32D2NP-062 WT:D Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ Investigación
MT53D512M64D4HR-053 WT:D Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ Investigación
MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology IC SDRAM LPDDR4 16GBIT 512MX32 F Investigación
MT53D512M64D4CR-053 WT:D Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Investigación
MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 16G 1866MHZ Investigación
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR Micron Technology IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M32D2NP-053 WT:D Micron Technology IC DRAM 16G 1866MHZ Investigación
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Investigación
MT53D512M64D4BP-046 WT:E Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Investigación
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Investigación

Latest Noticias