español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT53B384M32D2NP-053 WT:B
MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Número de pieza:
MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC DRAM 12G 1866MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
41679 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MT53B384M32D2NP-053 WT:B.pdf
Investigación

Introducción

MT53B384M32D2NP-053 WT:B mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de MT53B384M32D2NP-053 WT:B, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para MT53B384M32D2NP-053 WT:B por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:1.1V
Tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR4
Serie:-
Otros nombres:MT53B384M32D2NP-053 WT:B-ND
MT53B384M32D2NP-053WT:B
Temperatura de funcionamiento:-30°C ~ 85°C (TC)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:12Gb (384M x 32)
Interfaz de memoria:-
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
Frecuencia de reloj:1866MHz
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de MT53B384M32D2NP-053 WT:B

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2NP-062 WT:B Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Investigación
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Investigación
MT53B384M32D2NP-062 AAT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 12GBIT 1.6GHZ FBGA Investigación
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Micron Technology IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA Investigación
MT53B384M32D2DS-062 XT:B Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Investigación
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1866MHZ Investigación
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Investigación
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Investigación
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ Investigación
MT53B384M32D2NP-062 AUT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 12GBIT 1.6GHZ FBGA Investigación
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR Micron Technology IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA Investigación

Latest Noticias