español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT44K64M18RB-083F:A TR
MT44K64M18RB-083F:A TR
Número de pieza:
MT44K64M18RB-083F:A TR
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
23436 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MT44K64M18RB-083F:A TR.pdf
Investigación

Introducción

MT44K64M18RB-083F:A TR mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de MT44K64M18RB-083F:A TR, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para MT44K64M18RB-083F:A TR por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:1.28 V ~ 1.42 V
Tecnología:DRAM
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Otros nombres:MT44K64M18RB-083F:A TR-ND
MT44K64M18RB-083F:ATR
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 95°C (TC)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:1.125Gb (64Mb x 18)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 6.67ns
Frecuencia de reloj:1200MHz
Tiempo de acceso:6.67ns
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de MT44K64M18RB-083F:A TR

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
MT44K64M18RCT-125E:A TR Micron Technology IC RLDRAM 1.125GBIT TBGA Investigación
MT44K64M18RB-107E IT:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Investigación
MT44K32M36RB-107E IT:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Investigación
MT44K64M18RB-107E:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Investigación
MT44K32M36RCT-125:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Investigación
MT44K64M18RB-093F:A TR Micron Technology IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA Investigación
MT44K64M18RB-107E IT:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Investigación
MT44K64M18RB-083E:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Investigación
MT44K64M18RB-083E:A TR Micron Technology IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG Investigación
MT44K64M18RB-093F:A Micron Technology RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA Investigación
MT44K64M18RCT-125:A TR Micron Technology IC RLDRAM 1.125GBIT TBGA Investigación
MT44K64M18RB-093E:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Investigación
MT44K64M18RB-107E:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Investigación
MT44K32M36RB-107E:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Investigación
MT44K64M18RB-083F:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Investigación
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ Investigación
MT44K32M36RCT-125E:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ Investigación
MT44K32M36RB-107E:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Investigación
MT44K32M36RB-107E IT:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Investigación
MT44K64M18RB-093E:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ Investigación

Latest Noticias