| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | FLASH - NAND |
| Paquete del dispositivo: | 63-VFBGA (9x11) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 63-VFBGA |
| Otros nombres: | MT29F1G08ABBDAH4:D TR-ND MT29F1G08ABBDAH4:DTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 1Gb (128M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11) |
| Número de pieza base: | MT29F1G08 |
| Email: | [email protected] |
