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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > MRF6S20010GNR1
MRF6S20010GNR1
MRF6S20010GNR1
Número de pieza:
MRF6S20010GNR1
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
65050 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MRF6S20010GNR1.pdf
Investigación

Introducción

MRF6S20010GNR1 mejor precio y entrega rápida.
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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:68V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:TO-270-2 GULL
Serie:-
Alimentación - Salida:10W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-270BA
Otros nombres:935313674528
MRF6S20010GNR1-ND
MRF6S20010GNR1TR
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:15.5dB
Frecuencia:2.17GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2 GULL
Valoración actual:-
Corriente - Prueba:130mA
Número de pieza base:MRF6S20010
Email:[email protected]

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