| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Tecnología: | SRAM - Synchronous |
| Paquete del dispositivo: | 209-LFBGA (14x22) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 209-BGA |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 18Mb (256K x 72) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 200MHz 3.1ns 209-LFBGA (14x22) |
| Frecuencia de reloj: | 200MHz |
| Tiempo de acceso: | 3.1ns |
| Email: | [email protected] |
