| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AB Full-Pak |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 33W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres: | *IRLIB9343PBF SP001558256 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción detallada: | P-Channel 55V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 14A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
