| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | IPAK (TO-251) |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 110 mOhm @ 9.6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 57W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres: | *IRFU5505 SP001552454 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción detallada: | P-Channel 55V 18A (Tc) 57W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
