IPG20N06S2L35ATMA1
IPG20N06S2L35ATMA1
Número de pieza:
IPG20N06S2L35ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
64932 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IPG20N06S2L35ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 27µA
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8-4
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:35 mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max:65W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:IPG20N06S2L-35
IPG20N06S2L-35-ND
IPG20N06S2L35ATMA1TR
SP000613718
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A
Número de pieza base:*PG20N06
Email:[email protected]

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