IPD25N06S4L30ATMA1
IPD25N06S4L30ATMA1
Número de pieza:
IPD25N06S4L30ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
56999 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IPD25N06S4L30ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 8µA
Vgs (Max):±16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3-11
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):29W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD25N06S4L-30
IPD25N06S4L-30-ND
IPD25N06S4L-30TR
IPD25N06S4L-30TR-ND
IPD25N06S4L30ATMA1TR
SP000481508
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1220pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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