IPB12CNE8N G
IPB12CNE8N G
Número de pieza:
IPB12CNE8N G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
47785 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IPB12CNE8N G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 83µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:12.9 mOhm @ 67A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB12CNE8N G-ND
IPB12CNE8NG
SP000096451
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4340pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:64nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:85V
Descripción detallada:N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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