| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.8V @ 7.5A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO220-2-2 |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | CoolSiC™ |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | IDH08S120 IDH08S120-ND SP000293031 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 7.5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 180µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 7.5A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
