| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 7.5A (DC) |
| Tensión - Desglose: | Sawn on foil |
| Serie: | thinQ!™ |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Polarización: | Die |
| Otros nombres: | SP001155260 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 0ns |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IDC08S120EX7SA1 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 7.5A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| configuración de diodo: | 180µA @ 1200V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.8V @ 7.5A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
