GP2M010A065F
GP2M010A065F
Número de pieza:
GP2M010A065F
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
41946 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
GP2M010A065F.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220F
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:820 mOhm @ 4.75A, 10V
La disipación de energía (máximo):52W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:1560-1207-1
1560-1207-1-ND
1560-1207-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1670pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción detallada:N-Channel 650V 9.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

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