GP1M003A090C
GP1M003A090C
Número de pieza:
GP1M003A090C
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
52235 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
GP1M003A090C.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
La disipación de energía (máximo):94W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:1560-1157-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:748pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción detallada:N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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