GB02SHT06-46
GB02SHT06-46
Número de pieza:
GB02SHT06-46
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 600V 4A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
83540 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
GB02SHT06-46.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.6V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):600V
Paquete del dispositivo:TO-46
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Otros nombres:1242-1256
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 225°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción detallada:Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole TO-46
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io):4A (DC)
Capacitancia Vr, F:76pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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