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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-módulos > FF200R12KT3EHOSA1
FF200R12KT3EHOSA1
Número de pieza:
FF200R12KT3EHOSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Cantidad:
53469 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FF200R12KT3EHOSA1.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.15V @ 15V, 200A
Paquete del dispositivo:Module
Serie:-
Potencia - Max:1050W
Paquete / Cubierta:Module
Otros nombres:FF200R12KT3_E
FF200R12KT3_E-ND
SP000314729
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C
termistor NTC:No
Tipo de montaje:Chassis Mount
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce:14nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descripción detallada:IGBT Module 2 Independent 1200V 1050W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max):5mA
Configuración:2 Independent
Email:[email protected]

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