FDMS8050ET30
FDMS8050ET30
Número de pieza:
FDMS8050ET30
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
85303 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDMS8050ET30.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 750µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:Power56
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:0.65 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.3W (Ta), 180W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:FDMS8050ET30TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:22610pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:285nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 55A (Ta), 423A (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:55A (Ta), 423A (Tc)
Email:[email protected]

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