FDMJ1028N
FDMJ1028N
Número de pieza:
FDMJ1028N
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
37843 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDMJ1028N.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Potencia - Max:800mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WFDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A
Email:[email protected]

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