FDMC8882
FDMC8882
Número de pieza:
FDMC8882
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
29009 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDMC8882.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-MLP (3.3x3.3)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:14.3 mOhm @ 10.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.3W (Ta), 18W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDMC8882-ND
FDMC8882FSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:23 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:945pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 10.5A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10.5A (Ta), 16A (Tc)
Email:[email protected]

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