FDMB2308PZ
FDMB2308PZ
Número de pieza:
FDMB2308PZ
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH MLP2X3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
41257 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDMB2308PZ.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-MLP (2x3)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:36 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Potencia - Max:800mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres:FDMB2308PZ-ND
FDMB2308PZTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3030pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Drain 800mW Surface Mount 6-MLP (2x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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