FDG6332C
Número de pieza:
FDG6332C
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
62099 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDG6332C.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SC-70-6
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:FDG6332C-ND
FDG6332CTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:113pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 700mA, 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:700mA, 600mA
Email:[email protected]

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