FDFC2P100
FDFC2P100
Número de pieza:
FDFC2P100
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
36372 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDFC2P100.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-SSOT
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:FDFC2P100TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:445pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.7nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:P-Channel 20V 3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-SSOT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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