FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZ
Número de pieza:
FDD1600N10ALZ
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
32892 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDD1600N10ALZ.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:160 mOhm @ 3.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):14.9W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD1600N10ALZTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.61nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.8A (Tc)
Email:[email protected]

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