FDC6432SH
FDC6432SH
Número de pieza:
FDC6432SH
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
38482 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDC6432SH.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 1mA
Paquete del dispositivo:SuperSOT™-6
Serie:PowerTrench®, SyncFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 2.4A, 10V
Potencia - Max:700mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.5nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V, 12V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 12V 2.4A, 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.4A, 2.5A
Email:[email protected]

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