| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| Paquete del dispositivo: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Potencia - Max: | - |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | Die |
| Otros nombres: | 917-1185-6 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.5A, 38A |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Investigación |
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EPC2103 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Investigación |
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EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Investigación |
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EPC2104 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Investigación |
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EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Investigación |
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EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Investigación |
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EPC2102 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Investigación |
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EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Investigación |
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EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Investigación |
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EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | Investigación |
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EPC2110 | EPC | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE | Investigación |
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EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Investigación |
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EPC2106 | EPC | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | Investigación |
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EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Investigación |
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EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE | Investigación |
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EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Investigación |
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EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Investigación |
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EPC2108 | EPC | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | Investigación |
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EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Investigación |
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EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Investigación |