| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Voltaje - Prueba: | 100pF @ 6V |
| Tensión - Desglose: | Die |
| VGS (th) (Max) @Id: | 28 mOhm @ 1.5A, 5V |
| Tecnología: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie: | eGaN® |
| Estado RoHS: | Tray |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.4A (Ta) |
| Polarización: | Die |
| Otros nombres: | 917-EPC2040ENGR |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | EPC2040ENGR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.93nC @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.5V @ 1mA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 15V 3.4A (Ta) Surface Mount Die |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | TRANS GAN 25V BUMPED DIE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 15V |
| relación de capacidades: | - |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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