ECH8668-TL-H
ECH8668-TL-H
Número de pieza:
ECH8668-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
69506 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
ECH8668-TL-H.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:-
Paquete del dispositivo:8-ECH
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:17 mOhm @ 4A, 4.5V
Potencia - Max:1.5W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:ECH8668-TL-HOSCT
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 7.5A, 5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.5A, 5A
Email:[email protected]

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