DTB123YUT106
DTB123YUT106
Número de pieza:
DTB123YUT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
46549 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.DTB123YUT106.pdf2.DTB123YUT106.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:UMT3
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potencia - Max:200mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:DTB123YUT106DKR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Número de pieza base:DTB123
Email:[email protected]

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