DTA113ZUAT106
DTA113ZUAT106
Número de pieza:
DTA113ZUAT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
39166 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.DTA113ZUAT106.pdf2.DTA113ZUAT106.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:UMT3
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):1 kOhms
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:DTA113ZUAT106-ND
DTA113ZUAT106TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:33 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Número de pieza base:DTA113
Email:[email protected]

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