| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 100ns |
| Suministro de voltaje: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Paquete del dispositivo: | 256-BGA (27x27) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 256-BGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 8Mb (1M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | NVSRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 100ns 256-BGA (27x27) |
| Número de pieza base: | DS3065W |
| Tiempo de acceso: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
